| 产品名称： |
DC-DC升压IC |
| 型 号： |
IN2101系列 |
| 品 牌： |
英康(详情请点击图片进入查看) |
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IN2101系列 DC/DC升压转换器
IN2101系列 DC/DC芯片是采用CMOS工艺制造的低静态电流的PWM开关型DC/DC升压转换器。该系列芯片采用先进的电路设计和制造工艺，极大地改善了开关电路固有的噪声问题，减小对周围电路的干扰。输出电压为2.0V~5.0V（按0.1V的级差），振荡频率为100KHz(典型值)。对内置开关晶体管的IN2101AxxX，组成DC/DC升压电路只需接三个外围元件, 一只肖特基二极管、一只电感和一只电容。CE使能端，可关断芯片，使功耗达到最小。带Vdd端的IN2101ExxX，供电电源和电压检测分离，具有反馈功能，输出电压可调。该电路内部的软启动电路能够有效限制电路启动时引起的电流浪涌，提高了芯片的可靠性。该系列芯片适用于低噪声、较大电流的电池供电设备
特点
• 只需少量的外接元件：仅一只肖特基二极管、一只电感和一只电容；
• 低纹波及低噪声；
• 工作电压范围：0.9V~8V；
•带载能力强：当Vin=3.0V且Vout=3.3V时Iout=350mA；
• 输出电压范围：2.0V~5.0V(步长0.1V)；
• 输出电压高精度：±2.5%；
• 低启动电压：最高值为0.9V(输出电流为1mA时)；
• 最大工作频率：100KHz(典型值)；
• 高效率：典型值为85%；
• 软启动时间：典型值为15mS；
• 封装尺寸：SOT23，SOT89。
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型号 |
后缀 |
封装 |
开关
晶体管 |
CE端 |
Vdd端 |
FB端 |
特点 |
|
IN2101Axx |
M |
SOT23-3 |
内置 |
No |
No |
No |
标准型 |
|
P |
SOT89-3 |
|
IN2101Bxx |
M |
SOT23-3 |
外置 |
No |
No |
No |
扩流型 |
|
P |
SOT89-3 |
|
IN2101Cxx |
M |
SOT23 –5 |
内置 |
Yes |
No |
No |
标准使能型 |
|
P |
SOT89-5 |
|
IN2101Dxx |
M |
SOT23-5 |
外置 |
Yes |
No |
No |
扩流使能型 |
引脚分配
IN2101Axx
|
引脚号 |
符号 |
引脚描述 |
|
SOT23-3 |
SOT89-3 |
|
1 |
1 |
Vss |
接地引脚 |
|
3 |
2 |
Vout |
升压输出引脚 |
|
2 |
3 |
Lx |
开关引脚 |
IN2101Bxx
|
引脚号 |
符号 |
引脚描述 |
|
SOT23-3 |
SOT89-3 |
|
1 |
1 |
Vss |
接地引脚 |
|
3 |
2 |
Vout |
升压输出引脚 |
|
2 |
3 |
Ext |
扩流引脚 |
IN2101Cxx
|
引脚号 |
符号 |
引脚描述 |
|
SOT23-5 |
SOT89-5 |
|
4 |
5 |
Vss |
接地引脚 |
|
2 |
2 |
Vout |
升压输出引脚 |
|
5 |
4 |
Lx |
开关引脚 |
|
1 |
3 |
CE |
使能端 |
|
3 |
1 |
NC |
空 |
IN2101Dxx
|
引脚号 |
符号 |
引脚描述 |
|
SOT23-5 |
SOT89-5 |
|
4 |
5 |
Vss |
接地引脚 |
|
2 |
2 |
Vout |
升压输出引脚 |
|
5 |
4 |
Ext |
扩流引脚 |
|
1 |
3 |
CE |
使能端 |
|
3 |
1 |
NC |
空 |
主要参数及工作特性
IN2101A30 Vout=3.0V,Fosc=100kHz
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符号 |
含义 |
测试条件 |
数值 |
单位 |
|
最小 |
典型 |
最大 |
|
VOUT |
输出电压 |
|
2.925 |
3.000 |
3.075 |
V |
|
VIN |
输入电压 |
|
|
|
8 |
V |
|
Vstart |
启动电压 |
IOUT=1mA，
VIN：0→2V |
|
0.8 |
0.9 |
V |
|
Vhold |
保持电压 |
IOUT=1mA，
VIN：2→0V |
|
0.24 |
|
V |
|
IDD1 |
输入电流1 |
无外部元件
Vout=Vout*0.95 |
|
30 |
|
µA |
|
IDD2 |
输入电流2 |
Vout=Vout+0.5V |
|
11 |
|
µA |
|
ILX |
开关管合闸电流 |
VLX=0.4V, Vout=Vout*0.95 |
|
250 |
|
mA |
|
ILXleak |
开关管漏电流 |
Vout=VLX=6V |
|
|
0.5 |
µA |
|
IEXTH |
EXT端高电流 |
同IDD1
VEXT=Vout-0.4V, |
|
-5.72 |
|
mA |
|
IEXTL |
EXT端低电流 |
同IDD1
VEXT=0.4V, |
|
13.25 |
|
mA |
|
VCEH |
CE端高输入电压 |
Vout=Vce=set Vout*0.95 |
0.70 |
|
|
V |
|
VCEL |
CE端低输入电压 |
Vout=Vce=set Vout*0.95 |
|
|
0.20 |
V |
|
ICEH |
CE端高输入电流 |
Vout=6.0V, Vce=6.0V |
|
|
0.25 |
uA |
|
ICEL |
CE端低输入电流 |
Vout=6.0V, Vce=0.0V |
|
|
-0.25 |
uA |
|
Fosc |
振荡频率 |
Vout=set Vout*0.95 |
|
100 |
|
kHz |
|
Maxdty |
占空比 |
on(VLX“L”)side |
80 |
87 |
92 |
% |
|
η |
效率 |
|
|
85 |
|
% |
|
Tss |
软启动时间 |
- |
5 |
15 |
25 |
mS |
测试条件：VIN=Vout*0.6，VSS=0V，IOUT=10mA，Topt=25℃。有特殊说明除外。
注意：1、Diode采用肖特基二极管(正向压降约0.2V)，如IN5817,IN5819
2、电感采用：47μH（r<0.5Ω）
3、电容采用钽电容，47μF。 |
